（d）不同膜厚的NDI-N对器件效率的影响.此外，国务高质告NDI-N还可以用于制备反向器件，并能够获得12.6%的器件效率。

特别是双极传导行为，院国即电子在正栅极偏压(n极性)下传输，空穴在负偏压(p极性)下传输，已在许多vdWS中观察到，例如MoTe2、WSe2和黑磷。该工作不仅对双极性vdWS的传导极性调制进行了一般性的解释，资委中央展报而且还有助于重新考虑相关领域中观察到的实验现象。

发布d)不同的栅极电压下ln(IDS/VDS3/2)和1/VDS之间的关系。图5衬底对MoTe2肖特基势垒影响的DFT计算a)MoTe2/Cr和Cr/MoTe2/SiO2系统的原子结构，企业其中虚线表示模拟单元，顶部和底部为相应系统的顶视图，中部为侧视图。由于vdWS的原子级薄的厚度以及未经掺杂，国务高质告难以利用传统半导体理论解释这一问题。

基于上述结果，院国作者发现在改变层厚的同时广泛观察到的导电极性转变主要来自金属/vdWS界面处的能带对准的调谐。c)VGS=80V、资委中央展报30V、0V和-80V时ln(IDS/T3/2)和1000/T之间的关系。

【小结】综上所述，发布作者通过实验数据与数值模拟相结合，发布已经证明了包括MoTe2和WSe2的vdWS的双极传导行为可用SBFET模型完全解释，其中总电流由电子和空穴分支组成，对于其中任一支，隧道效应和热电子发射都可以根据能带弯曲条件(即有效的肖特基势垒高度)做出贡献。

d)在hBN(顶部)和SiO2(底部)上具有接触区域的器件电荷注入示意图，企业其中红色和蓝色箭头分别表示电子和空穴的注入。国务高质告e)偏压范围为0.1~3V时ln(IDS/T3/2)与1000/T的Arrhenius曲线。

【图文简介】图1以MoTe2器件为例验证SBFET模型a)在室温下测量的MoTe2器件的漏极电流-栅极电压特性曲线(红色空心圆)，院国蓝线表示根据SBFET模型的模拟结果，院国内插为该装置的相应光学显微镜图像，三种不同电荷载流子注入模式标记为i-iii。资委中央展报d)不同栅极电压下的某一接触端子处的能带示意图。

b)不同偏压下，发布MoTe2器件在SiO2上的全部(实线)和沟道部分(虚线)的漏极电流密度-栅极电压特性曲线。投稿以及内容合作可加编辑微信：企业cailiaokefu，我们会邀请各位老师加入专家群。